Наказание за прослушку мобильного телефона. Кс признал законным запрет на прослушку без лицензии. Основания для установки прослушивающего оборудования

Электронно-дырочный переход (сокращенно n-р-переход) возникает в полупроводниковом кристалле, имеющем одновременно области с n-типа (содержит донорные примеси) и р-типа (с акцепторными примесями) прово-димостями на границе между этими областями.

Допустим, у нас есть кристалл, в котором справа находится область полупроводника с дырочной, а слева - с электронной проводимостью (рис. 1). Благодаря тепловому движению при образовании контакта электроны из полупроводника n-типа будут диффундировать в область р-типа. При этом в области n-типа останется нескомпенсированный положительный ион донора.

Перейдя в область с дырочной проводимостью, электрон очень быстро рекомбинирует с дыркой, при этом в области р-типа образуется нескомпенсированный ион акцептора.

Аналогично электронам дырки из области р-типа диффундируют в электронную область, оставляя в дырочной области нескомпенсированный отрицательно заряженный ион акцептора. Перейдя в электронную область, дырка рекомбинирует с электроном. В результате этого в электронной области образуется нескомпенсированный положительный ион донора.

Диффузия основных носителей через переход создает электрический ток I осн, направленный из р-области в n-область.

В результате диффузии на границе между этими областями образуется двойной электрический слой разноименно заряженных ионов, толщина l которого не превышает долей микрометра.

Между слоями ионов возникает электрическое поле с напряженностью \(~\vec E_i\). Это поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей: электронов из n-области и дырок из р-области.

Необходимо заметить, что в n-области наряду с электронами имеются неосновные носители - дырки, а в р-области - электроны. В полупроводнике непрерывно происходят процессы рождения и рекомбинации пар. Интенсивность этого процесса зависит только от температуры и одинакова во всем объеме полупроводника. Предположим, что в n-области возникла пара "электрон-дырка". Дырка будет хаотически перемещаться по η области до тех пор, пока не рекомбинирует с каким-либо электроном. Однако если пара возникает достаточно близко к переходу, то прежде, чем произойдет рекомбинация, дырка может оказаться в области, где существует электрическое поле, и под его действием она перейдет в р-область, т.е. электрическое поле перехода способствует переходу неосновных носителей в соседнюю область. Соответственно, создаваемый ими ток I неосн мал. так как неосновных носителей мало.

Таким образом, возникновение электрического поля \(~\vec E_i\) приводит к появлению неосновного тока I неосн. Накопление зарядов около перехода за счет диффузии и увеличение \(~\vec E_i\) будут продолжаться до тех пор, пока ток I неосн не уравновесит ток I осн (I неосн = I осн) и результирующий ток через электронно-дырочный переход станет равным нулю.

Если к n-р-переходу приложить разность потенциалов, то внешнее электрическое поле \(~\vec E_{ist}\) складывается с полем \(~\vec E_i\) . Результирующее поле, существующее в области перехода, \(~\vec E = \vec E_{ist} + \vec E_i\). Токи I осн и I неосн совершенно различно ведут себя по отношению к изменению поля в переходе, I неосн с изменением поля очень слабо изменяется, так как он обусловлен количеством неосновных носителей, а оно в свою очередь зависит только от температуры.

I осн (диффузия основных носителей) очень чувствителен к полю напряженностью \(~\vec E\). I осн быстро увеличивается с ее уменьшением и быстро падает при увеличении.

Пусть клемма источника тока соединена с n-областью. а "-" - с р-областью (обратное включение (рис. 2, а)). Суммарное поле в переходе усиливается: E > E ist и основной ток уменьшается. Если \(~\vec E\) достаточно велика, то I осн << I неосн и ток через переход создается неосновными носителями. Сопротивление n-р-перехода велико, ток мал.

Если включить источник так, чтобы область n-типа оказалась подключена к а область р-типа к (рис. 2, б), то внешнее поле будет направлено навстречу \(~\vec E_i\), и \(~\vec E = \vec E_i + \vec E_{ist} \Rightarrow E = E_i - E_{ist} < E_i\), т.е. поле в переходе ослабляется. Поток основных носителей через переход резко увеличивается, т.е. I осн резко возрастает.

Особое значение имеют контакты полупроводников с различными типами проводимости, так называемыми p-n-переходы. На их основе создаются полупроводниковые диоды, детекторы, термоэлементы, транзисторы.

На рисунке 41 изображена схема p-n-перехода.

На границе полупроводников p-n-типа образуется так называемый «запирающий слой», обладающий рядам замечательных свойств, которые и обеспечили широкое применение p-n-переходов в электронике.

Поскольку концентрация свободных электронов в полупроводнике n-типа очень высока, а в полупроводнике p-типа во много раз меньше, на границе происходит диффузия свободных электронов из области n в область p.

То же самое можно сказать и о дырках; они диффундируют наоборот из p в n.

Из-за этого в пограничной области (в «запирающем слое») происходит интенсивная рекомбинация электронно-дырочных пар, запирающий слой обедняется носителями тока, его сопротивление резко возрастает.

В результате диффузии по обе стороны от границы образуются объёмный положительный заряд в области n и объёмный отрицательный заряд в p-области.

Таким образом, в запирающем слое возникает электрическое поле с напряжённостью , силовые линии которого направлены от n к p, а значит, и контактная разность потенциалов , где d к – толщина запирающего слоя. На рисунке 37 изображён график распределения потенциала в p-n-переходе.

За нулевой потенциал принят потенциал границы p и n областей.

Следует заметить, что толщина запирающего слоя очень мала и на рис. 42 её масштаб для наглядности сильно искажён.

Величина контактного потенциала тем больше, чем больше концентрация основных носителей; при этом толщина запирающего слоя уменьшается. Например, для германия при средних значениях концентрации атомов примеси.

U к = 0,3 – 0,4 (В)

d к = 10 -6 – 10 -7 (м)

Контактное электрическое поле тормозит диффузию электронов из n в p и дырок из p в n и очень быстро в запирающем слое устанавливается динамическое равновесие между электронами и дырками, движущимися вследствие диффузии (ток диффузии) и движение их под действием контактного электрического поля в противоположную сторону (дрейфовый ток или ток проводимости).

В установившемся режиме ток диффузии равен и противоположен току проводимости, и так как в этих токах принимают участие и электроны и дырки, полный ток через запирающий слой равен нулю.

На рисунке 43 изображены графики распределения энергии свободных электронов и дырок в p-n-переходе.

Из графиков видно, что электронам из n области, чтобы попасть в p область, нужно преодолеть высокий потенциальный барьер. Следовательно, это доступно очень немногим из них, наиболее энергичным.

В тоже время электроны из p области свободно проходят в n область, загоняемые туда контактным полем (катятся в «яму»).

Но в n-области концентрация свободных электронов ничтожна и в установившемся режиме незначительное одинаковое количество электронов движется через границу в противоположных направлениях.

Аналогичные рассуждения можно привести о движении дырок через границу p-n-перехода. В результате при отсутствии внешнего электрического поля, полный ток через запирающий слой равен нулю.

К полупроводнику p-типа p-n-перехода подсоединим положительный полюс источника тока, а к полупроводнику n-типа – отрицательный, как это показано на рисунке 44.

Тогда электрическое поле в этой конструкции, направленное от полупроводника p-типа к полупроводнику n-типа, способствует направленному движению дырок и электронов через запирающий слой, что приводит к обогащению запирающего слоя основными носителями тока и, следовательно, к уменьшению его сопротивления. Диффузионные токи существенно превосходят токи проводимости как образованные электронами, так и дырками. Через p-n-переход течёт электрический ток, благодаря направленному движению основных носителей.

При этом величина контактного потенциала (потенциальный барьер) резко падает, т.к. внешнее поле направлено против контактного. Это означает, что для создания тока достаточно подключить к p-n-переходу внешнее напряжение порядка лишь нескольких десятых долей одного вольта.

Возникающий здесь ток называется прямым током . В полупроводнике p-типа прямой ток представляет собой направленное движение дырок в направлении внешнего поля, а в полупроводнике n-типа – свободных электронов в противоположном направлении. Во внешних проводах (металлических) движутся только электроны. Они перемещаются в направлении от минуса источника и компенсируют убыль электронов, уходящих через запирающий слой в область p. А из p электроны через металл уходят к + источника. Навстречу электронам «дырки» из p-области движутся через запирающий слой в n-область.

Распределение потенциала в этом случае изображена на рисунке 45а

Пунктиром показано распределение потенциала в p-n-переходе при отсутствии внешнего электрического поля. Изменение потенциала вне запирающего слоя пренебрежимо мало.

На рис. 45б изображено распределение электронов и дырок в условиях прямого тока.

Из рисунка 40б видно, что потенциальный барьер резко упал, и основным носителям тока электронам и дыркам легко проникнуть через запирающий слой в «чужие» для них области.

Теперь подключим положительный полюс к полупроводнику n-типа, а отрицательный к p-типа. Под действием такого обратного напряжения через p-n-переход протекает так называемый обратный ток .

В этом случае напряжённости внешнего электрического и контактного полей сонаправлены, следовательно, напряжённость результирующего поля увеличивается и увеличивается потенциальный барьер, который становится практически непреодолимым для проникновения основных носителей через запирающий слой, и токи диффузии прекращаются. Внешнее поле стремится, как бы отогнать дырки и электроны друг от друга, ширина запирающего слоя и его сопротивление увеличиваются. Через запирающий слой проходит только токи проводимости, то есть токи, вызванные направленным движением неосновных носителей. Но поскольку концентрация неосновных носителей много меньше, чем основных, этот обратный ток много меньше прямого тока.

На рисунке 45в изображено распределение потенциала в p-n-переходе в случае обратного тока.

Замечательное свойство p-n-перехода заключается в его односторонней проводимости.

При прямом направлении внешнего поля от p к n – ток большой, а сопротивление маленькое.

При обратном направлении ток маленький, а сопротивление большое.

Прямое и обратноевключение p-n перехода.

Приложим внешнее напряжение плюсом к p-области. Внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему полю p-n перехода, что приводит к уменьшению потенциального

барьера. Основные носители зарядов легко смогут преодолеть потенциальный барьер, и поэтому через p-n переход будет протекать сравнительно большой ток, вызванный основными носителями заряда.

Свойства p-n перехода.

К основным свойствам p-n перехода относятся:

1, свойство односторонней проводимости;

2, температурные свойства p-n перехода;

3, частотные свойства p-n перехода;

4, пробой p-n перехода.

Свойство односторонней проводимости p-n перехода нетрудно рассмотреть на вольтамперной

характеристике. Вольтамперной характеристикой (ВАХ) называется графически выраженная

зависимость величины протекающего через p-n переход тока от величины приложенного

напряжения. I=f(U).При увеличении прямого напряжения прямой ток изменяется по экспоненциальному закону. Так как величина обратного тока во много раз меньше, чем прямого, то обратным током можно пренебречь и считать, что p-n переход проводит ток только в одну сторону.

Температурное свойство p-n перехода показывает, как изменяется работа p-n перехода при изменении температуры. На p-n переход в значительной степени влияет нагрев, в очень малой

степени – охлаждение. При увеличении температуры увеличивается термогенерация носителей заряда, что приводит к увеличению как прямого, так и обратного тока. Частотные свойства p-n перехода показывают, как работает p-n переход при подаче на негопеременного напряжения высокой частоты. Частотные свойства p-n перехода определяютсядвумя видами ёмкости перехода.Первый вид ёмкости – это ёмкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорнойи акцепторной примеси. Она называется зарядной, или барьерной ёмкостью.Второй тип ёмкости – это диффузионная ёмкость, обусловленная диффузией подвижных носителей заряда через p-n переход при прямом включении.Явление сильного увеличения обратного тока при определённом обратном напряжении называется электрическим пробоем p-n перехода.

2. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, схемы включения.

Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) - электронный тип примесной проводимости, p (positive) - дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от полевого транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» - «два»)

1. Устройство биполярных транзисторов. Основой биполярного транзистора является кристалл полупроводника p-типа или n-типа проводимости, который также как и вывод отнего называется базой.

Диффузией примеси или сплавлением с двух сторон от базы образуются области с противоположным типом проводимости, нежели база.

Область, имеющая бoльшую площадь p-n перехода, и вывод от неё называют коллектором. Область, имеющая меньшую площадь p-n перехода, и вывод от неё называют эмиттером. p-n переход между коллектором и базой называютколлекторным переходом, а между эмиттером и базой – эмиттерным переходом.

Направление стрелки в транзисторе показывает направление протекающего тока. Основнойособенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрацииосновных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. В эмиттере концентрация носителей заряда максимальная. Вколлекторе – несколько меньше, чем в эмиттере. В базе – вомного раз меньше, чем в эмиттере и коллекторе

2. Принципдействиябиполярныхтранзисторов. При работе транзистора в усилительном

режиме эмиттерный переход открыт, а коллекторный – закрыт. Это достигается соответствующим включением источников питания.Так как эмиттерный переход открыт, то через него будет протекать ток эмиттера, вызванный

переходом электронов из эмиттера в базу и переходом дырок из базы в эмиттер. Следователь-

но, ток эмиттера будет иметь две составляющие – электронную и дырочную.Инжекцией зарядов называется переход носителей зарядов из области, где они были основными в область, где они становятся неосновными. В базе электроны рекомбинируют, а их концентрация в базе пополняется от «+» источника Еэ, за счёт чего в цепи базы будет протекатьочень малый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под ускоряющим действием поля закрытого коллекторного перехода как неосновные носители будут переходить в коллектор, образуя ток коллектора. Переход носителей зарядов из области, где они

были не основными, в область, где они становятся основными, называется экстракцией зарядов.

Если блок полупроводника P-типа соединить с блоком полупроводника N-типа (рисунок ниже (a)), результат не будет иметь никакого значения. У нас будут два проводящих блока соприкасающихся друг с другом, не проявляя никаких уникальных свойств. Проблема заключается в двух отдельных и различных кристаллических структурах. Количество электронов уравновешивается количеством протонов в обоих блоках. Таким образом, в результате ни один блок не имеет какого-либо заряда.

Тем не менее, один полупроводниковый кристалл, изготовленный из материала P-типа с одной стороны и материала N-типа с другой стороны (рисунок ниже (b)), обладает уникальными свойствами. У материала P-типа основными являются положительные носители заряда, дырки, которые свободно передвигаются по кристаллической решетке. У материала N-типа основными и подвижными являются отрицательные носители заряда, электроны. Вблизи перехода электроны материала N-типа диффундируют через переход, соединяясь с дырками в материале P-типа. Область материала P-типа вблизи перехода приобретает отрицательный заряд из-за привлеченных электронов. Так как электроны покинули область N-типа, та приобретает локальный положительный заряд. Тонкий слой кристаллической решетки между этими зарядами теперь обеднен основными носителями, таким образом, он известен, как обедненная область . Эта область становится непроводящим материалом из собственного полупроводника. По сути, мы имеем почти изолятор, разделяющий проводящие легированные области P и N типов.

(a) Блоки полупроводников P и N типов при контакте не обладают пригодными для использования свойствами.
(b) Монокристалл, легированный примесями P и N типа, создает потенциальный барьер.

Такое разделение зарядов в P-N-переходе представляет собой потенциальный барьер. Этот потенциальный барьер может быть преодолен под воздействием внешнего источника напряжения, заставляющего переход проводить электрический ток. Формирование перехода и потенциального барьера происходит во время производственного процесса. Величина потенциального барьера зависит от материалов, используемых при производстве. Кремниевые P-N-переходы обладают более высоким потенциальным барьером, по сравнению с германиевыми переходами.

На рисунке ниже (a) батарея подключена так, что отрицательный вывод источника поставляет электроны к материалу N-типа. Эти электроны диффундируют к переходу. Положительный вывод источника удаляет электроны из полупроводника P-типа, создавая дырки, которые диффундируют к переходу. Если напряжение батареи достаточно велико для преодоления потенциала перехода (0,6В для кремния), электроны из области N-типа и дырки из области P-типа объединяются, уничтожая друг друга. Это освобождает пространство внутри решетки для перемещения в сторону перехода большего числа носителей заряда. Таким образом, токи основных зарядов областей N-типа и P-типа протекают в сторону перехода. Рекомбинация в переходе позволяет току батареи протекать через P-N переход диода. Такое включение называется прямым смещением .

(a) Прямое смещение отталкивает носителей зарядов к переходу, где рекомбинация отражается на токе батареи.
(b) Обратное смещение притягивает носителей зарядов к выводам батареи, подальше от перехода. Толщина обедненной области увеличивается. Устойчивый ток через батарею не протекает.

Если полярность батареи изменена на противоположную, как показано выше на рисунке (b), основные носители зарядов притягиваются от перехода к клеммам батареи. Положительный вывод батареи оттягивает от перехода основных носителей заряда в области N-типа, электронов. Отрицательный вывод оттягивает от перехода основных носителей в области P-типа, дырок. Это увеличивает толщину непроводящей обедненной области. В ней отсутствует рекомбинация основных носителей; и таким образом, отсутствует и проводимость. Такое подключение батареи называется обратным смещением .

Условное обозначение диода, показанное ниже на рисунке (b), соответствует пластине легированного полупроводника на рисунке (a). Диод представляет собой однонаправленное устройство. Электронный ток протекает только в одном направлении, против стрелки, соответствующем прямому смещению. Катод, полоса на условном обозначении диода, соответствует полупроводнику N-типа. Анод, стрелка, соответствует полупроводнику P-типа.

Примечание: в оригинале статьи предлагается алгоритм запоминания расположения типов полупроводника в диоде. Неуказывающая (N ot-pointing) часть условного обозначения (полоса) соответствует полупроводнику N -типа. Указывающая (P ointing) часть условного обозначения (стрелка) соответствует P -типу.

(a) Прямое смещение PN-перехода
(b) Соответствующее условное графическое обозначение диода
(c) График зависимости тока от напряжения кремниевого диода

Если к диоду приложено прямое смещение (как показано на рисунке (a) выше), при увеличении напряжения от 0 В ток будет медленно возрастать. В случае с кремниевым диодом протекающий ток можно будет измерить, когда напряжение приблизится к 0,6 В (рисунок (c) выше). При увеличении напряжения выше 0,6 В ток после изгиба на графике начнет резко возрастать. Увеличение напряжения выше 0,7 В может привести к току, достаточно большому, чтобы вывести диод из строя. Прямое напряжение U пр является одной из характеристик полупроводников: 0,6-0,7 В для кремния, 0,2 В для германия, несколько вольт для светоизлучающих диодов. Прямой ток может находиться в диапазоне от нескольких мА для точечных диодов до 100 мА для слаботочных диодов и до десятков и тысяч ампер для силовых диодов.

Если диод смещен в обратном направлении, то протекает только ток утечки собственного полупроводника. Это изображено на графике слева от начала координат (рисунок (c) выше). Для кремниевых диодов этот ток в самых экстремальных условиях будет составлять примерно 1 мкА. Это ток при росте напряжения обратного смещения увеличивается незаметно, пока диод не будет пробит. При пробое ток увеличивается настолько сильно, что диод выходит из строя, если последовательно не включено сопротивление, ограничивающее этот ток. Обычно мы выбираем диод с обратным напряжением, превышающим напряжения, которые могут быть приложены при работе схемы, чтобы предотвратить пробой диода. Как правило, кремниевые диоды доступны с напряжениями пробоя 50, 100, 200, 400, 800 вольт и выше. Также возможно производство диодов с меньшим напряжением пробоя (несколько вольт) для использования в качестве эталонов напряжения.

Ранее мы упоминали, что обратный ток утечки до микроампера в кремниевых диодах обусловлен проводимостью собственного полупроводника. Эта утечка может быть объяснена теорией. Тепловая энергия создает несколько пар электрон-дырка, которые проводят ток утечки до рекомбинации. В реальной практике этот предсказуемый ток является лишь частью тока утечки. Большая часть тока утечки обусловлена поверхностной проводимостью, связанной с отсутствием чистоты поверхности полупроводника. Обе составляющие тока утечки увеличиваются с ростом температуры, приближаясь к микроамперу для небольших кремниевых диодов.

Для германия ток утечки на несколько порядков выше. Так как германиевые полупроводники сегодня редко используются на практике, то это не является большой проблемой.

Подведем итоги

P-N переходы изготавливаются из монокристаллического куска полупроводника с областями P и N типа в непосредственной близости от перехода.

Перенос электронов через переход со стороны N-типа к дыркам на сторону P-типа с последующим взаимным уничтожением создает падение напряжения на переходе, составляющее от 0,6 до 0,7 вольта для кремния и зависящее от полупроводника.

Прямое смещение P-N перехода при превышении значения прямого напряжения приводит к протеканию тока через переход. Прикладываемая внешняя разность потенциалов заставляет основных носителей заряда двигаться в сторону перехода, где происходит рекомбинация, позволяющая протекать электрическому току.

Обратное смещение P-N перехода почти не создает ток. Прикладываемое обратное смещение оттягивает основных носителей заряда от перехода. Это увеличивает толщину непроводящей обедненной области.

Через P-N переход, к которому приложено обратное смещение, протекает обратный ток утечки, зависящий от температуры. В небольших кремниевых диодах он не превышает микроампер.

P-N переход - точка в полупроводниковом приборе, где материал N-типа и материал P-типа соприкасаются друг с другом. Материал N-типа обычно упоминается как катодная часть полупроводника, а материал P-типа - как анодная часть.

Когда между этими двумя материалами возникает контакт, то электроны из материала n-типа перетекают в материал p-типа и соединяются с имеющимися в нем отверстиями. Небольшая область с каждой стороны линии физического соприкосновения этих материалов почти лишена электронов и отверстий. Эта область в полупроводниковом приборе называется обедненной областью.

Эта обедненная область является ключевым звеном в работе любого прибора, в котором есть P-N переход. Ширина этой обедненной области определяет сопротивление протеканию тока через P-N переход, поэтому сопротивление прибора, имеющего такой P-N переход, зависит от размеров этой обедненной области. Ее ширина может изменяться при прохождении какого-либо напряжения через этот P-N переход. В зависимости от полярности приложенного потенциала P-N переход может иметь либо прямое смещение, либо обратное смещение. Ширина обедненной области, или сопротивление полупроводникового прибора, зависит как от полярности, так и от величины поданного напряжения смещения.

Когда P-N переход прямой (с прямым смещением), то тогда на анод подается положительный потенциал, а на катод - отрицательный. Результатом этого процесса является сужение обедненной области, что уменьшает сопротивление движению тока через P-N переход.

Если потенциал увеличивается, то обедненная область будет продолжать уменьшаться, тем самым еще больше понижая сопротивление протеканию тока. В конце концов, если подаваемое напряжение окажется достаточно велико, то обедненная область сузится до точки минимального сопротивления и через P-N переход, а вместе с ним и через весь прибор, будет проходить максимальный ток. Когда P-N переход имеет соответствующее прямое смещение, то он обеспечивает минимальное сопротивление проходящему через него потоку тока.

Когда P-N переход обратный (с обратным смещением), то отрицательный потенциал подается на анод, а положительный - на катод.

Это приводит к тому, что в результате обедненная область расширяется, а это вызывает увеличение сопротивления протеканию тока. Когда на P-N переходе создается обратное смещение, то имеет место максимальное сопротивление протеканию тока, а данный переход действует в основном как разомкнутая цепь.

При определенном критическом значении напряжения обратного смещения сопротивление протеканию тока, которое возникает в обедненной области, оказывается преодоленным и происходит стремительное нарастание тока. Значение напряжения обратного смещения, при котором ток быстро нарастает, называется пробивным напряжением.